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泓格牛顿I-8000系列模块
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S256 / S512
S256 / S512 | 256/512K 用于所有I-8000嵌入式控制器的电池后备SRAM模块
www.szpk.cn
规格:
◆S256 用于 256K 字节 电池后备 , S512 用于 512K 字节电池后备
◆S256 可提供7至9年的后备时间
◆S512 可提供3至5年的后备时间
◆工作温度: 0°C ~ +70°C
定货信息
产品序号
内容
价格
数量
S256
256K
电池后备 SRAM 模块
请来电询价
S512
512K
电池后备 SRAM 模块
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